Применение квазимонокристаллических подложек для тонкопленочных гетеропереходных солнечных элементов

В работе продемонстрированы результаты изготовления гетеропереходных солнечных элементов на полноразмерных кремниевых пластинах mono-like n-типа (244,2 см2), выращенных методом направленной кристаллизации с высокой монокристаллической долей — более 95% поверхности с кристаллографической ориентацией (100). Солнечные элементы были изготовлены на базе промышленной технологии, разработанной в ООО «НТЦ ТПТ» для монокристаллических кремниевых пластин (Cz). Эффективность фотоэлектрического преобразования солнечных элементов на подложках mono-like составила 19,48%, на монокристаллических подложках (Cz), изготовленных в качестве эталона в том же процессе — 22,89%

Ключевые слова: солнечная энергетика, солнечные модули, тонкопленочные технологии, аморфный кремний, гетероструктурный солнечный элемент

Список использованных источников

1. A. Louwen et al. Solar Energy Materials & Solar Cells 147 (2016) 295-314.

2. International Technology Roadmap of Photovoltaic (ITRPV) Results 2016, including maturity report. Eighth Edition, 2017

3. D. Adachi, J. L. Hernбndez, and K. Yamamoto, Impact of carrier recombination on fill factor for large area heterojunction crystalline silicon solar cell with 25,1% efficiency//Applied Physics Letters, 107(23): 233506, 2015.

4. Taguchi et al. 24,7% Record efficiency HIT solar cell on thin silicon//IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 4, No. 1, January 2014, pp. 96-99.

5. Crystal Growth Technology/Edited by H. J. Scheel and T. Fukuda, 2003 John Wiley & Sons, Ltd.

6. F. Jay et al. Advanced process for n-type mono-like silicon a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells with 21.5% efficiency//Solar Energy Materials and Solar Cells, vol. 130, 2014, pp. 690-695.

7. R. Cabal, B. Grange, L. Bounaas, R. Monna, N. Plassat, E. Pihan, Y. Veschetti. «20% pert technology adapted to n-type monolike silicon:simplified process and narrowed cell efficiency distribution»//29th EU PVSEC and Exhibition, 648-652.

8. J. S. Kang, D. K. Schroder. «Gettering in silicon»//J. Appl. Phys. 65, 2974 (1989).

9. Sieu Pheng Phang et al 2017 Jpn. J. Appl. Phys. 56 08MB10.

10. Hyomin Park, Sung Ju Tark et al. «Effect of the Phosphorus Gettering on Si Heterojunction Solar Cells»//International Journal of Photoenergy, Volume 2012, Article ID 794876, 7 p.

Авторы